摘要：介紹了復(fù)合粉體化學(xué)鍍銀的原理和特點(diǎn)。分析了粉體的類型、粉體的預(yù)處理工藝、化學(xué)鍍液成分及操作條件如溫度、pH 等因素對(duì)化學(xué)鍍銀的影響。綜述了鍍銀粉體在導(dǎo)電填料、吸波材料和電子元件方面的應(yīng)用和研究現(xiàn)狀，并提出了粉體化學(xué)鍍銀目前存在的問(wèn)題和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。

關(guān)鍵詞: 化學(xué)鍍銀; 復(fù)合粉體; 影響因素; 應(yīng)用

中圖分類號(hào): TQ153. 16 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A

引言

復(fù)合粉體是指每一顆粒子都由兩種或多種不同材料組成的粉體，并且其尺度必須大到足以顯示出各自的宏觀性質(zhì)，通常認(rèn)為是大于0. 5 μm[1]。復(fù)合粉體綜合了各種材料不同的物理、化學(xué)性質(zhì)，具有獨(dú)特性能，是一種特殊的功能粉體材料。這種材料在航空、航天、通訊電子及粉末冶金等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。復(fù)合粉體的制備方法主要有熱分解-還原法、機(jī)械球磨法、溶膠-凝膠法、化學(xué)鍍法、膠體粒子模版法及共沉淀法等[2]。其中化學(xué)鍍由于具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，包覆效果好等優(yōu)點(diǎn)，成為最有發(fā)展?jié)摿Φ姆椒ㄖ弧?/p>

銀粉具有優(yōu)良的導(dǎo)電性和化學(xué)穩(wěn)定性，廣泛的應(yīng)用于電子工業(yè)中，是電子漿料、導(dǎo)電填料以及印刷電路等材料的重要原料[3]。但由于銀的成本很高，而且在濕熱通電情況下，銀離子易發(fā)生遷移，而導(dǎo)致短路，這一缺點(diǎn)使其應(yīng)用受限?，F(xiàn)在研究開(kāi)發(fā)了很多化學(xué)鍍銀粉體，這些復(fù)合粉體既克服了銀的高成本，又具有基體材料和銀的雙重性質(zhì)，可以作為屏蔽材料、吸波材料以及導(dǎo)電填料等的原材料，在航天航空、電子行業(yè)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。

1· 粉體化學(xué)鍍銀的原理和特點(diǎn)

化學(xué)鍍銀是指無(wú)外加電流的情況下，利用還原劑將溶液中的銀離子還原并沉積到具有催化活性的基體表面的過(guò)程[4]，其實(shí)質(zhì)是發(fā)生固液( 基體-溶液) 界面的氧化還原反應(yīng)。

化學(xué)鍍與電鍍相比，有以下優(yōu)點(diǎn): 化學(xué)鍍不需要外電源，設(shè)備簡(jiǎn)單，不存在電鍍中由于電流分布不均勻引起鍍層厚度的差異問(wèn)題，適合形狀復(fù)雜的工件; 化學(xué)鍍靠基體自催化活性施鍍，其結(jié)合力優(yōu)于電鍍; 通過(guò)敏化、活化等工藝，化學(xué)鍍可以在非金屬基體如塑料、陶瓷或粉體等材料表面上進(jìn)行，應(yīng)用范圍更加廣泛[5]。

目前化學(xué)鍍應(yīng)用的材料有塊狀材料和粉體，兩者在鍍液組成、鍍覆工藝方面基本相同。但粉體相對(duì)塊狀材料具有更大的表面積，粉體與銀離子接觸面積更大，反應(yīng)更快，反應(yīng)持續(xù)的時(shí)間更短。但是，粉體尤其是超細(xì)粉體在鍍覆過(guò)程中極易發(fā)生團(tuán)聚和沉降，這一特點(diǎn)使得粉體的化學(xué)鍍銀工藝難度更大，也容易造成鍍液的自分解，因此在化學(xué)鍍中粉體的分散過(guò)程至關(guān)重要。一般情況下，在鍍覆過(guò)程中對(duì)粉體要進(jìn)行強(qiáng)烈攪拌，或者超聲振蕩，還可以通過(guò)加入分散劑如聚乙烯吡咯烷酮( PVP) 、聚乙烯醇( PAP) 等來(lái)改善粉體的分散性能。解決鍍液自分解方法主要有降低鍍液溫度、加入穩(wěn)定劑來(lái)抑制反應(yīng)速度，降低單位鍍液的處理量等。

2· 影響粉體化學(xué)鍍銀的因素

影響粉體化學(xué)鍍銀的因素很多，主要有粉體的類型、粉體的預(yù)處理、鍍液配方、溫度及pH 等。

2. 1 粉體的類型

化學(xué)鍍銀常用的基體有金屬粉體和非金屬粉體?，F(xiàn)在制備得到的復(fù)合粉體主要有金屬-金屬類( 銀包銅、鋁、鉬或鎢等) 、金屬-非金屬( Ag-Al2O3、Ag-石墨、Ag-SiC、Ag-SiO2或Ag-碳納米管等) [6-10]。

不同的基體粉體化學(xué)鍍銀工藝有很大的差異。大多數(shù)金屬粉體由于基體結(jié)構(gòu)本身具有催化活性的表面，這種基體表面的催化活性點(diǎn)比非金屬基體表面多; 另外金屬基體和鍍銀層之間的點(diǎn)陣常數(shù)比較接近，進(jìn)而影響到它們之間的接觸角，原子在接觸面上很容易吻合，界面能比較低，可以減小形核時(shí)自由焓的增值，在這些基體上的形核相對(duì)容易，有較高的形核率。此外，有些金屬粉體本身對(duì)銀離子具有還原作用。如銅粉，可以用銅粉直接置換法來(lái)制備銀包銅粉，當(dāng)添加還原劑進(jìn)行化學(xué)鍍時(shí)，鍍覆的前期置換過(guò)程占據(jù)一定的優(yōu)勢(shì)，可以較容易形成鍍層。羅江山等[11]用AgNO3為主鹽，采用置換法在納米銅粉表面鍍覆了一層銀形成銀包銅粉，經(jīng)分析，粉體為包覆結(jié)構(gòu)，表面銀的原子分?jǐn)?shù)約74. 28%。高保嬌等[12]通過(guò)置換法制備得到銀包銅粉，并對(duì)其機(jī)理進(jìn)行了研究，結(jié)果可知，鍍覆過(guò)程中表面發(fā)生置換反應(yīng)和電化學(xué)反應(yīng)，但由于反應(yīng)過(guò)程中生成銅氨離子吸附于銅粉表面，阻礙了銀離子的接觸使得鍍層為點(diǎn)綴狀，體系中產(chǎn)生了大量的微電池，從而使鍍層形成多分子層。

非金屬粉的表面由于不具有催化活性，在化學(xué)鍍前應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理，使其表面活化進(jìn)而具有催化作用，以保證鍍層能自發(fā)進(jìn)行沉積。預(yù)處理工藝有粗化、敏化和活化，處理后的粉體表面變的粗糙不平，并吸附了一層催化劑膠體，它們形成不連續(xù)的形核中心，銀顆粒在此進(jìn)行形核、長(zhǎng)大，逐漸形成鍍層。由于催化劑膠體和基體本身結(jié)合并不牢固，可能導(dǎo)致鍍層遷移甚至脫落。因此，非金屬粉體的化學(xué)鍍中，預(yù)處理過(guò)程尤為重要。由于增加了很多工序，非金屬粉體的化學(xué)鍍相比金屬粉體難度更大。

Wencai Wang 等[13]通過(guò)在硅粉表面沉積多巴胺聚合沉積，進(jìn)行鍍銀，制備得到良好的銀包硅粉。具體為將硅粉置于多巴胺( PDA) 堿性溶液，強(qiáng)烈攪拌12 h，多巴胺經(jīng)過(guò)氧化聚合反應(yīng)，沉積在硅粉表面，形成Si-PDA 鍍層，含有酚羥基和氨基的官能團(tuán)不僅能吸附銀離子，還能提高鍍銀層和基體硅粉的結(jié)合力，也避免了使用氯化鈀、氯化亞錫進(jìn)行敏化、活化處理，形成了連續(xù)的均勻的鍍銀層。

2. 2 粉體的預(yù)處理

粉體表面預(yù)處理包括表面清洗、粗化、敏化和活化等步聚。

2. 2. 1 表面清洗

化學(xué)鍍前要對(duì)粉體進(jìn)行清洗以保證表面沒(méi)有污染物和氧化物。常見(jiàn)的清洗包括除油和除氧化物兩個(gè)環(huán)節(jié)。主要除油方式有: 有機(jī)溶劑除油、堿液除油、電化學(xué)除油、乳化劑除油和超聲波除油等;清除氧化物方法有化學(xué)酸洗和電化學(xué)酸洗。

2. 2. 2 粗化

粗化的目的是增大粉體表面的粗糙度和比表面積，增加表面能，從而提高表面活性，生成某些極性基團(tuán)，使表面由憎水變成親水，提高了金屬層的粘附力，使敏化和活化時(shí)金屬離子容易吸附于非金屬材料表面。通常采用強(qiáng)酸、強(qiáng)堿作為粗化液，常用的有NaOH、HF 和濃H2SO4等。

2. 2. 3 敏化和活化

粗化后粉體材料盡管表面積增大，但還無(wú)法直接進(jìn)行化學(xué)鍍，必須進(jìn)行敏化和活化處理。敏化的目的是為了在粉體表面建立起以貴金屬為核心的催化中心，因此，敏化劑也起還原劑的作用。常用的敏化液的主要成分為SnCl2·2H2O。敏化后生成的產(chǎn)物Sn2( OH)3Cl 微溶于水，在基體材料表面形成一層薄膜。

活化在前處理中最為關(guān)鍵，直接關(guān)系到鍍層是否均勻和鍍層與基體的結(jié)合力等。活化的目的是在粉體表面吸附一層連續(xù)的、均勻分布的具有催化活性的金屬顆粒。常用活化液的主要成分為PdCl2或銀氨溶液。活化原理為Pd2 + 被Sn2 + 還原，Pd 以納米顆粒形式沉積在鍍件表面，使得鍍件表面具有較強(qiáng)的催化活性，在化學(xué)鍍銀過(guò)程中，成為催化中心，銀粒子在此處形核、長(zhǎng)大，進(jìn)而形成鍍銀層[14]。

目前，常用的活化工藝有: 傳統(tǒng)的敏化活化兩步法、Pd-Sn 膠體法即敏化活化一步法、離子鈀活化敏化法[15]。

2. 3 鍍液成分的影響

2. 3. 1 主鹽

化學(xué)鍍銀中主鹽為AgNO3。鍍覆過(guò)程中，主鹽的濃度高時(shí)，鍍速較快，形成鍍層的包覆性也較好，但濃度過(guò)高，會(huì)降低鍍液的穩(wěn)定性，易發(fā)生自分解。

2. 3. 2 絡(luò)合劑

由于銀的電極電位較高，φ°Ag + /Ag = 0. 799 6 V，Ag + 極易被還原，使得反應(yīng)速率很快，造成鍍液很不穩(wěn)定。加入絡(luò)合劑可以降低銀離子電極電位，進(jìn)而降低了反應(yīng)速率，控制了鍍速?；瘜W(xué)鍍銀中常用的絡(luò)合劑有氨水和氰化物，也有其他絡(luò)合劑如胺烯類化合物[16]和EDTA 鹽等[17]。絡(luò)合劑的濃度對(duì)化學(xué)鍍有較大的影響，以氨水為例，當(dāng)氨水濃度增加，銀氨絡(luò)合物的穩(wěn)定性提高，銀被還原的能力下降，反應(yīng)速率降低; 氨水濃度過(guò)低，則鍍液的穩(wěn)定性下降，鍍液的自分解加重。另外，絡(luò)合劑對(duì)鍍層的表面形貌和性能有一定的關(guān)系。

2. 3. 3 還原劑

還原劑是化學(xué)鍍自催化氧化還原反應(yīng)驅(qū)動(dòng)力的來(lái)源，其作用是提供電子使銀離子在基體表面沉積。不同還原劑可以根據(jù)還原電位判斷其還原能力，還原電位越負(fù)，其還原能力越強(qiáng)。常見(jiàn)的還原劑有甲醛、次磷酸鹽、硼氫化鉀、水合肼或葡萄糖等[18]。

2. 3. 4 表面活性劑

表面活性劑通過(guò)吸附在粉體顆粒的表面，由于具有靜電排斥或空間位阻的作用使得顆粒之間相互排斥，同時(shí)表面活性劑包覆在顆粒外圍使得顆粒間隔離，離子型表面活性劑可以使顆粒帶有同種電荷而發(fā)生排斥，進(jìn)而抑制了顆粒之間的團(tuán)聚，具有分散的效果。常見(jiàn)的表面活性劑有聚乙烯吡咯烷酮( PVP) 、明膠、油酸及十二烷基硫酸鈉等。

2. 4 操作條件的影響

2. 4. 1 pH

在化學(xué)鍍銀過(guò)程中，pH 是一個(gè)非常關(guān)鍵的因素。隨著pH 的變化，還原劑的還原能力有很大的不同，鍍速也會(huì)隨著變化。如當(dāng)以葡萄糖作為還原劑時(shí)，它需要在堿性條件下才能發(fā)生氧化還原反應(yīng)，因此需要加入堿( 一般為NaOH) 保證鍍液pH在合適的范圍。pH 低于某一值時(shí)，反應(yīng)不明顯，鍍速很慢。但鍍液的pH 過(guò)高時(shí)，易造成鍍液的自分解，從而降低了鍍液的穩(wěn)定性。

2. 4. 2 溫度

由阿倫尼烏斯公式，化學(xué)反應(yīng)速率常數(shù)k =Ae - Ea /RT可知，隨著T 的升高，k 值也增大，即反應(yīng)速率加快。提高溫度，使得鍍液中分子和離子的熱運(yùn)動(dòng)加劇，進(jìn)而對(duì)其他因素如pH、主鹽及絡(luò)合劑的溶解度等也有一定的影響。

3 ·鍍銀粉體的應(yīng)用

3. 1 導(dǎo)電填料的應(yīng)用

導(dǎo)電填料是電磁屏蔽涂料的核心部分。目前常用的導(dǎo)電填料主要有兩類，一類是導(dǎo)電性優(yōu)良但成本較高的金、銀、銅或鎳等金屬粉末; 另一類是導(dǎo)電性一般但成本較低的石墨、碳纖維等非金屬填料，具體有銀系、銅系、鎳系、碳系及復(fù)合導(dǎo)電填料。單一的導(dǎo)電填料難以在較寬的頻率范圍都有較好的屏蔽性能，目前復(fù)合型導(dǎo)電填料成為研究的熱點(diǎn)。通過(guò)化學(xué)鍍法將銀鍍覆在其他粉體材料表面，制備得到復(fù)合粉體既保持了銀的高導(dǎo)電率又降低了材料的成本，是一種高性價(jià)比的導(dǎo)電填料，具有很大的應(yīng)用前景。銀包銅粉作為一種優(yōu)良的導(dǎo)電材料，很多學(xué)者對(duì)此進(jìn)行了研究。Hai H T 等[19]采用氨水和硫酸銨混合液對(duì)銅粉進(jìn)行預(yù)處理，以酒石酸鉀為還原劑，制備得到鍍銀銅粉。研究了鍍覆機(jī)理以及銅粉預(yù)處理過(guò)程中氨水和硫酸銨的摩爾比、銀鹽溶液的加入速度、酒石酸的濃度等對(duì)化學(xué)鍍的影響，并確定了最佳的工藝條件。Xu X R 等[20]以超細(xì)銅粉為基體，采用化學(xué)鍍工藝制得銀質(zhì)量分?jǐn)?shù)達(dá)20%的銀包銅粉，該粉體具有良好導(dǎo)電性和抗氧化性。Jung ju Kim 等[21] 首先用D-葡萄糖還原CuSO4·5H2O制備得到Cu2O 粉，并將其進(jìn)一步還原得到Cu 粉。采用硫酸銨和氨水混合液對(duì)Cu 粉進(jìn)行預(yù)處理，以AgNO3為主鹽，酒石酸鉀鈉為還原劑，制備得到銀包銅粉。研究了反應(yīng)溫度和時(shí)間對(duì)Cu2O、Cu 和銀包銅粉的粒度的影響，鍍銀銅粉的抗氧化性和電磁屏蔽效率比普通銅粉有了較大的提高。梅冰等[22]通過(guò)對(duì)微米級(jí)的銅粉球磨進(jìn)行片狀化，經(jīng)過(guò)清洗、敏化和活化等處理，以葡萄糖和酒石酸混合液為還原劑，室溫下加入硝酸銀溶液，進(jìn)行化學(xué)鍍銀，得到片狀的銅銀復(fù)合粉，經(jīng)分析，鍍后粉體的抗氧化性能有了很大的改善。吳秀華等[23]采用還原法首先制得超細(xì)銅粉，通過(guò)置換法制備得到Cu-Ag 雙金屬粉，并考察了PVP、明膠、聚乙烯醇( PVA) 等不同保護(hù)劑對(duì)粉體形貌的影響。結(jié)果表明，以PVP 為保護(hù)劑可制得樹(shù)枝形的粉體，以明膠為保護(hù)劑可制得多邊形顆粒狀的粉體，該復(fù)合粉的抗氧性相比Cu 粉均有了明顯的改善。

3. 2 吸波材料的應(yīng)用

吸波材料主要用于電子元件的屏蔽和防止電磁干擾，應(yīng)用于航空航天隱身材料中。要求材料具有對(duì)電磁波的高吸收率、頻帶寬、質(zhì)量輕、耐高溫及耐腐蝕等特性。吸波材料主要由吸收劑和基體材料組成，吸收劑提供吸收性能，吸收衰減入射的電磁波并轉(zhuǎn)換成熱能而耗散掉，或使電磁波因干涉而減弱，減少回波能量，從而達(dá)到隱身的目的，是吸波材料的關(guān)鍵組分。傳統(tǒng)的吸收劑有鐵氧體、金屬微粉、石墨、碳化硅及導(dǎo)電纖維等，它們具有吸收頻帶窄、密度大等缺點(diǎn)[24]。通過(guò)化學(xué)鍍法在這些材料或密度小的無(wú)機(jī)粉體( 如空心微珠等) 表面鍍銀制得的復(fù)合粉體，可以作為優(yōu)良的吸收劑的原料。黃少?gòu)?qiáng)等[25]采用葡萄糖和酒石酸為還原劑，在d 為0. 1 ～ 10. 0 μm 的玻璃微球表面進(jìn)行化學(xué)鍍銀。其中的鍍銀溶液配方為: 10 ～ 20 g /L AgNO3，5～ 10 g /LNaOH，適量的NH3·H2O 和還原劑，3～ 8 g /L 聚乙二醇，15 mL /L 乙醇。對(duì)鍍層的表面形貌、結(jié)合力和導(dǎo)電性能進(jìn)行了測(cè)試，取得較佳的工藝條件。美國(guó)SDS( Spectro Dynamic Systems) 公司生產(chǎn)銀包覆空心陶瓷磁性顆粒，用于制備吸波材料。這種材料比傳統(tǒng)的實(shí)心銀顆粒能更好的衰減無(wú)線電頻率，而且鍍銀的復(fù)合粉體的密度很小，可以作為航天器的隱身材料。徐堅(jiān)等[26]將空心微珠加入銀氨溶液進(jìn)行預(yù)處理，然后加入含有Ni2 +、Co2 + 的堿性鍍液中，兩者化學(xué)反應(yīng)后，生成NiCoP 包覆空心微珠的復(fù)合粉體。經(jīng)X-射線衍射分析，Ag + 在鍍覆過(guò)程中有活化、催化作用。

3. 3 電子元件的應(yīng)用

隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展，電子元件逐漸向輕、薄及小的方向發(fā)展。鍍銀粉體具有優(yōu)良的導(dǎo)電性、穩(wěn)定性、耐蝕性、耐磨性和抗氧化性等特點(diǎn)，在微電子領(lǐng)域如電子封裝、電觸點(diǎn)材料及印刷線路板等方面有廣泛的應(yīng)用。此外，鍍銀銅粉還可以應(yīng)用于催化劑和抗菌材料等方面。Chang H 等[27]以甲醛為還原劑，在納米SnO2粉體表面包覆了一層Ag，得到Ag /SnO2復(fù)合粉體，制成的Ag /SnO2電觸頭材料具有良好的電學(xué)性能，且對(duì)環(huán)境無(wú)污染，成為新型的電觸頭材料之一。Shi Guimei 等[28]通過(guò)化學(xué)鍍將Ag 鍍覆在Al2O3粉體表面。首先Al2O3在醋酸

銀溶液中浸泡作為預(yù)處理過(guò)程，甲醛為還原劑，銀氨溶液為主鹽，30℃下進(jìn)行化學(xué)鍍，得到Ag /Al2O3粉，經(jīng)高分辨透視電鏡看出，Ag 均勻包覆在Al2O3表面，最薄的鍍層δ 約5 nm，兩者形成核殼結(jié)構(gòu)。Yosi Shacham-Diamand 等[29]通過(guò)在p 型硅片鍍覆Ag 和Ag-W 合金，首先將硅片預(yù)處理，然后進(jìn)行敏化、氯化鈀活化，分別以銀氨溶液、AgNO3 + NaWO4溶液為主鹽，水合肼為還原劑，進(jìn)行化學(xué)鍍。通過(guò)掃描隧道顯微鏡( STM) 分析看出，Ag-W 合金鍍層比Ag 鍍層表面平滑，δ 為300 nm 以上的Ag-W 合金鍍層和δ 為200 nm 以上的Ag 鍍層電阻率均為0. 2mΩ·m，隨著鍍層δ 減小，電阻率越來(lái)越大，Ag-W 合金鍍層比Ag 層有更好的抗腐蝕性，化學(xué)鍍Ag-W 合金更適合應(yīng)用于集成電路中的芯片阻擋層。鳳儀等[30]采用氧化、敏化及活化工藝對(duì)碳納米管進(jìn)行預(yù)處理，然后通過(guò)化學(xué)鍍法在其表面鍍覆了一層銀，分析可知表面鍍層全部是銀，且鍍層連續(xù)完整，有較好的分散性，可以應(yīng)用到電子行業(yè)和復(fù)合材料等領(lǐng)域。

4· 粉體化學(xué)鍍銀存在的問(wèn)題和發(fā)展趨勢(shì)

經(jīng)過(guò)多年的努力，化學(xué)鍍銀有了很大的發(fā)展，尤其是塊狀材料的化學(xué)鍍銀工藝已經(jīng)成熟。粉體材料的化學(xué)鍍發(fā)展較晚，也有了長(zhǎng)足的進(jìn)步，有些金屬粉體如銀包銅等已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化，但是非金屬粉體如無(wú)機(jī)粉體、高分子粉體等的化學(xué)鍍銀由于粉體本身的特點(diǎn)，鍍覆中還存在一些難題，主要有基體粉體的預(yù)處理工序復(fù)雜，有時(shí)造成粉體鍍銀包覆不完整呈點(diǎn)綴狀，甚至有單質(zhì)銀直接還原; 粉體在鍍液中會(huì)發(fā)生團(tuán)聚和沉降; 化學(xué)鍍銀液穩(wěn)定性較差，且只能一次性使用，造成鍍液的浪費(fèi); 基體粉體和鍍層的結(jié)合力較差，使用時(shí)容易脫落等。

根據(jù)上述存在的問(wèn)題，今后化學(xué)鍍銀的發(fā)展主要在以下幾個(gè)方面: 一方面確定并完善粉體預(yù)處理工藝條件，改善鍍后粉末的均勻性和包覆完整性;尋求更好的還原劑、絡(luò)合劑和穩(wěn)定劑等，控制化學(xué)鍍過(guò)程中鍍速和鍍液的穩(wěn)定性以及鍍液的循環(huán)使用。另一方面，將化學(xué)鍍與其他先進(jìn)的輔助技術(shù)相結(jié)合形成新的化學(xué)鍍工藝，如激光化學(xué)鍍、超聲波化學(xué)鍍、脈沖化學(xué)鍍、微波化學(xué)鍍[31]和添加其他顆粒進(jìn)行改性，如加入稀土進(jìn)行化學(xué)鍍改善了鍍層的組織結(jié)構(gòu)[32]，還應(yīng)對(duì)自組裝化學(xué)鍍[33]及復(fù)合化學(xué)鍍等新型化學(xué)鍍工藝的開(kāi)發(fā)和研究。最后應(yīng)該深入研究粉體化學(xué)鍍銀的機(jī)理，包括對(duì)粉體化學(xué)鍍銀過(guò)程的動(dòng)力學(xué)和鍍層生長(zhǎng)機(jī)理的研究。