摘要：在涂有中間層 SnO₂-Sb₂O₅的 Ti基體上,采用陽極復(fù)合電沉積法制備了 Ti/SnO₂-Sb₂O₅ /PbO₂ +nano-Co₃O₄復(fù)合電極材料,利用X射線衍射( XRD)、X射線光電子能譜( XPS)和掃描電子顯微鏡( SEM)等方法研 究了制備條件對該復(fù)合電極材料組成、結(jié)構(gòu)和形貌的影響。結(jié)果表明,納米 Co₃O₄的摻雜可提高 PbO₂電極 表面的粗糙度和空隙率;沉積電位、鍍液中Co₃O₄粒子濃度及有機溶劑的添加等均對鍍層中Co₃O₄的嵌入量 有較大影響。

   陽極電沉積條件對 Ti_SnO2-Sb2O5 _PbO2 +Nano-Co3O4復(fù)合電極組成、形貌和結(jié)構(gòu)的影響.pdf