申請(qǐng)?zhí)枺?00810212837.7

名稱：電解拋光和/或電鍍?cè)O(shè)備及方法

公開(kāi)(公告)號(hào)：CN101353810

公開(kāi)(公告)日：2009.01.28

主分類號(hào)：C25D5/48(2006.01)I

申請(qǐng)(專利權(quán))人：ACM研究公司

地址：美國(guó)加利福尼亞

發(fā)明(設(shè)計(jì))人：王暉;沃哈·納持;費(fèi)利克斯·古特曼;穆罕默德·阿夫南;希曼舒·J·喬克什;馬克·J·范柯克威科;戴蒙·L·克勒;佩奧爾·伊;麥·H·源;張如皋;弗雷德里克·霍

專利代理機(jī)構(gòu)：中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所

代理人：柴毅敏

摘要

本發(fā)明一方面提供一種用于對(duì)半導(dǎo)體晶片執(zhí)行電解拋光或電鍍處理的設(shè)備和方法。該設(shè)備包括一清洗模塊，該清洗模塊具有一邊緣清洗組件，用于去除位于晶片的斜角或邊緣部上的金屬殘留物。邊緣清洗設(shè)備包括一噴嘴頭，其往晶片主表面上供給液體和氣體，以及在供給液體、徑向向內(nèi)位置處供給氣體，從而減小液體沿徑向向內(nèi)方向流到晶片上形成的金屬薄膜的可能性。