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【專利號(申請?zhí)?】200710136784.0
【公開(公告)號】CN101114590
【申請人(專利權)】恩益禧電子股份有限公司
【申請日期】2007-7-27 0:00:00
【公開(公告)日】2008-1-30 0:00:00
本發(fā)明提供了一種制造半導體器件的方法，其包括利用導電材料填充設置于在襯底上形成的絕緣膜上的多個凹陷的電鍍工藝，其中該電鍍工藝包括：當以導電材料填充在所有的該多個凹陷中的不大于預定的寬度的精細凹陷時，以第一電流密度來進行電鍍，所述第一電流密度是通過基于在襯底的整個表面上的第一表面積S1和襯底的整個表面上的第二表面積S2的表面積之比Sr＝S1/S2，來修正預定的第一基準電流密度而獲得的，所述第一表面積包括半導體襯底的整個表面上的該多個凹陷的側墻的面積，而所述第二表面積不包括該多個凹陷的側墻的面積。
